肖特基二极管

1999年，美国purdue大学在美国海jun资助的muri项目中，研制成功4.9kv的sic功率sbd，批发肖特基二极管，使sbd在耐压方面取得了根本性的突破。 sbd的正向压降和反向漏电流直接影响sbd整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，肖特基二极管开关，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对n型sic来说，ni和ti是比较理想的肖特基势垒金属。

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其它折叠高压sbd长期以来，在输出12v~24v的smps中，次级边的高频整流器只有选用100v肖特基二极管的sbd或200v的fred。在输出24v~48v的smps中，只有选用200v~400v的fred。设计者迫切需要介于100v~200v之间的150vsbd和用于48v输出smps用的200vsbd。近两年来，美国ir公司和apt公司以及st公司瞄准高压sbd的巨大商机，先后开发出150v和200v的sbd。这种高压sbd比原低压sbd在结构上增加了pn结工艺，形成肖特基势垒与pn结相结合的混合结构。

肖特基二极管特点

肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4v左右，而整流电流却可以达到几千安。

?肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以n型半导体b为负极，甘肃肖特基二极管，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为n型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的b中向浓度低的a中扩散。显然，金属a中没有空穴，也就不存在空穴自a向b的扩散运动。

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